找到现在, 由于目前通过与水晶 p-n交叉口. 图. 21.6 就先验式地表明这些水晶. 在没有外来压 (米. 21.6, α) 所有的流动，流动负责的承运人穿过交叉路口平衡和当前是零.

把水晶在一个电路如此, 外地是针对反对的领域的过渡 (米. 21.6, b). 外地的p-n交叉路口会被削弱，并传播流动的大多数承运人 (洞从p-区域和电子从n-地区) 将会匆忙通过的过渡. 反流向少数群体的承运人几乎没有改变. 因此，过渡之后将会流很多目前的. 适用的电压和现在这件案子 叫直接. 目前，通过增加电压就增加非常迅速 (米. 21.7), 和哦,是法是完全不适用在这里.

提交现在的水晶一个压倒极性 (米. 21.6, b). 在这一案件中，外部的电压是相同签署的联系潜在的区别. 在外地加强该一领域的R-n-交叉口，并传播流动的主要承运人的横向交叉口的大幅减少. 流向少数群体的承运人, 同, 如在没有外来领域, 创造一个薄弱的目前通过路口. 适用的电压和目前在这一案件中呼吁扭转.

结果发现, 所以直接电压，现行的通过p-n交叉路口的一万倍, 比相反 (米. 21.7). 这意味着, p-n交叉点像 阀门, t. e. 目前流向一个方向 (过渡开) 并不怀念那些在相反的方向 (过渡时期关闭). 因此，, 如果包括的c晶p-n交叉路口的电路的交流电流在一系列与一个装抵抗R (米. 21.8), 目前在抵抗就将是几乎不间断的方向. 因此，水晶p-n-过渡叫 半导体于把交流电或半导体二极管. (图. 21.7 显示电压--目前的特点硅二极管平均的力量; 的严重程度的当前和压前扭转方向是不同的。)

有趣的是, 怎么是多少伏的电路图. 21.8 之间的二极管和装抵抗R. (在常规形象的二极管的电路的边缘指明方向的直接目前的。)

图交流电电压，在该网络显示在图. 21.9, α. 二极管前的流量仅在前进的方向 (米. 21.9, b). 还记得, 在一系列的电压的分相抵. 在上半年期间, 当前通过的二极管在前进的方向, 抵抗军的二极管非常少，几乎所有的电压落量R. 在第二次半期二极管的抵抗是非常高的所有压力一直在二极管. 变电压穿过二极管图. 21.9, 在, 电压变化的全装载在的数字. 21.9, g.

半导体光二极管有高到. p. d. (去 98%), 小规模和长期的生活. 的缺点半导体光二极管的恶化，他们的工作时的温度. 如上所述, 扭转目前通过p-n交叉口, 造成少数群体的承运人, 最集中的是在普通的温度, 但增长迅速增加的温度是由于一代的电子洞的双. 因此，扭转目前的一半导体二极管增长迅速增加的温度: 硅纠正二极管制止目前的温度约为200°C, 和最高温度锗二极管甚至更少.

注意到, 半导体的二极管不能将纳入该网络没有终止电阻器. 如果装载在图图. 21.8 消除, 所有的电压是将适用于二极管. 当二极管，将包括在前进的方向, 外部压超过了接触潜在的区别, p-n交叉口 几乎消失, 通过二极管将流入一个很大的现有和领导的，将破坏.